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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD18533KCS
CSD18533KCS
Número de pieza:
CSD18533KCS
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18479 Pieces
Ficha de datos:
CSD18533KCS.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):192W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:296-35013
CSD18533KCS-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD18533KCS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3025pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 72A (Ta), 100A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:72A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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