STB13NM60N
STB13NM60N
Número de pieza:
STB13NM60N
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16046 Pieces
Ficha de datos:
STB13NM60N.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STB13NM60N, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STB13NM60N por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar STB13NM60N con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:360 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-10984-6
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STB13NM60N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios