FDC6506P
FDC6506P
Número de pieza:
FDC6506P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12974 Pieces
Ficha de datos:
FDC6506P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 1.8A, 10V
Potencia - Max:700mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:FDC6506PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDC6506P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.5nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

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