VQ1001P
Número de pieza:
VQ1001P
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17475 Pieces
Ficha de datos:
VQ1001P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:14-DIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:-
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:VQ1001P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:4 N-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:830mA
Email:[email protected]

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