FCH150N65F_F155
FCH150N65F_F155
Número de pieza:
FCH150N65F_F155
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 24A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17368 Pieces
Ficha de datos:
FCH150N65F_F155.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 Long Leads
Serie:SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):298W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:37 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCH150N65F_F155
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3737pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:94nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 24A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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