SIHS20N50C-E3
SIHS20N50C-E3
Número de pieza:
SIHS20N50C-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18438 Pieces
Ficha de datos:
SIHS20N50C-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SUPER-247 (TO-274AA)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):250mW (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-274AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIHS20N50C-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2942pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 20A (Tc) 250mW (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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