FDBL0240N100
FDBL0240N100
Número de pieza:
FDBL0240N100
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19916 Pieces
Ficha de datos:
FDBL0240N100.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PSOF
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.5W (Ta), 300W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerSFN
Otros nombres:FDBL0240N100DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDBL0240N100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8755pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:111nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 210A (Tc) 3.5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-PSOF
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:210A (Tc)
Email:[email protected]

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