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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFR36N50P
IXFR36N50P
IXFR36N50P
Número de pieza:
IXFR36N50P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12626 Pieces
Ficha de datos:
IXFR36N50P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOPLUS247™
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):156W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOPLUS247™
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFR36N50P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:93nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 19A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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