español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2010C
EPC2010C
EPC2010C
Número de pieza:
EPC2010C
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17162 Pieces
Ficha de datos:
EPC2010C.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2010C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2010C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar EPC2010C con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die Outline (7-Solder Bar)
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 12A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1085-2
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:EPC2010C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de EPC2010C

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Investigación
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Investigación
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Investigación
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Investigación
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Investigación
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Investigación
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Investigación
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Investigación
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Investigación
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Investigación
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Investigación
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Investigación
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Investigación
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Investigación
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Investigación
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Investigación

Latest Noticias