DMT10H015LSS-13
DMT10H015LSS-13
Número de pieza:
DMT10H015LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8.3A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14248 Pieces
Ficha de datos:
DMT10H015LSS-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:DMT10H015LSS-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMT10H015LSS-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1871pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 8.3A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:sales@bychips.com

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