Comprar DMT10H015LSS-13 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SO |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 16 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1.2W (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres: | DMT10H015LSS-13DITR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | DMT10H015LSS-13 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1871pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 33.3nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 8.3A |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |