DMT10H015LCG-7
Número de pieza:
DMT10H015LCG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12018 Pieces
Ficha de datos:
DMT10H015LCG-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:V-DFN3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-VDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMT10H015LCG-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1871pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Ta), 34A (Tc)
Email:[email protected]

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