Comprar DMT10H010LSS-13 con BYCHPS
Compre con garantía
DMT10H010LSS-13
- Número de pieza:
- DMT10H010LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V SO-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17297 Pieces
- Ficha de datos:
- DMT10H010LSS-13.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMT10H010LSS-13, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMT10H010LSS-13 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.8V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.4W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMT10H010LSS-13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMT10H010LSS-13
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | Investigación |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Investigación |
 |
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Investigación |
 |
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Investigación |
|
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Investigación |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | Investigación |
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Investigación |
|
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Investigación |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Investigación |
|
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Investigación |
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog