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BUZ30A E3045A
- Número de pieza:
- BUZ30A E3045A
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16221 Pieces
- Ficha de datos:
- BUZ30A E3045A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BUZ30A E3045A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BUZ30A E3045A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 125W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | BUZ30AE3045AT SP000011337 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BUZ30A E3045A |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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