IXTP20N65XM
IXTP20N65XM
Número de pieza:
IXTP20N65XM
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18455 Pieces
Ficha de datos:
IXTP20N65XM.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:210 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):63W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP20N65XM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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