BSC100N10NSFGATMA1
BSC100N10NSFGATMA1
Número de pieza:
BSC100N10NSFGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15404 Pieces
Ficha de datos:
BSC100N10NSFGATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 110µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):156W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC100N10NSF G
BSC100N10NSF G-ND
BSC100N10NSF GTR
BSC100N10NSF GTR-ND
BSC100N10NSFG
SP000379595
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC100N10NSFGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.4A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

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