IRF3707LPBF
IRF3707LPBF
Número de pieza:
IRF3707LPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12780 Pieces
Ficha de datos:
IRF3707LPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:12.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):87W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRF3707LPBF
SP001569952
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF3707LPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1990pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:62A (Tc)
Email:[email protected]

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