Comprar BUK7Y25-80E/CX con BYCHPS
Compre con garantía
BUK7Y25-80E/CX
- Número de pieza:
- BUK7Y25-80E/CX
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH LFPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16279 Pieces
- Ficha de datos:
- BUK7Y25-80E/CX.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BUK7Y25-80E/CX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BUK7Y25-80E/CX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 25 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 95W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BUK7Y25-80E/CX |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 39A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH LFPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 39A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BUK7Y25-80E/CX
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y25-40B/C,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK | Investigación |
 |
BUK7Y41-80E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y25-60E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y08-40B/C,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y25-80E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y12-80EX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | Investigación |
 |
SUM110N10-09-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | Investigación |
 |
BSN20-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 | Investigación |
|
BUK7Y54-75B,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK | Investigación |
 |
IPP80N06S4L07AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | Investigación |
|
BUK7Y7R6-40E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y43-60E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Investigación |
|
BUK7Y3R0-40EX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers