BUK7Y25-80E/GFX
Número de pieza:
BUK7Y25-80E/GFX
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19190 Pieces
Ficha de datos:
BUK7Y25-80E/GFX.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK56, Power-SO8
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):95W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-100, SOT-669
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUK7Y25-80E/GFX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 39A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:39A (Tc)
Email:[email protected]

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