Comprar SUM110N10-09-E3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-263 (D2Pak) |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 30A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres: | SUM110N10-09-E3TR SUM110N1009E3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SUM110N10-09-E3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6700pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |