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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SUM110N04-2M1P-E3
SUM110N04-2M1P-E3
SUM110N04-2M1P-E3
Número de pieza:
SUM110N04-2M1P-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18984 Pieces
Ficha de datos:
SUM110N04-2M1P-E3.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D2Pak)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.13W (Ta), 312W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SUM110N04-2M1P-E3-ND
SUM110N04-2M1P-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SUM110N04-2M1P-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:18800pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:360nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 29A (Ta), 110A (Tc) 3.13W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 110A (Tc)
Email:[email protected]

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