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BSS169 E6327
- Número de pieza:
- BSS169 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14924 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS169 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS169 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS169 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS169E6327XT SP000011172 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS169 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 68pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.8nC @ 7V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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