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FQT1N80TF_WS
- Número de pieza:
- FQT1N80TF_WS
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13245 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.FQT1N80TF_WS.pdf2.FQT1N80TF_WS.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FQT1N80TF_WS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FQT1N80TF_WS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-223-3 |
| Serie: | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 20 Ohm @ 100mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.1W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | FQT1N80TF_WSTR FQT1N80TFWS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FQT1N80TF_WS |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 195pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 800V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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