DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7
Número de pieza:
DMN26D0UFB4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12159 Pieces
Ficha de datos:
DMN26D0UFB4-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X2-DFN1006-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):350mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:DMN26D0UFB4-7DITR
DMN26D0UFB47
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN26D0UFB4-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14.1pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:230mA (Ta)
Email:[email protected]

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