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BSS169H6327XTSA1
- Número de pieza:
- BSS169H6327XTSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16939 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS169H6327XTSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS169H6327XTSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS169H6327XTSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS169 H6327 BSS169 H6327-ND BSS169 H6327TR BSS169 H6327TR-ND SP000702572 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSS169H6327XTSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 68pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.8nC @ 7V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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