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BSH111,215
- Número de pieza:
- BSH111,215
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18304 Pieces
- Ficha de datos:
- BSH111,215.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSH111,215, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSH111,215 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 830mW (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 568-1657-2 934056036215 BSH111 T/R BSH111215 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSH111,215 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 335mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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