BSH112,235
BSH112,235
Número de pieza:
BSH112,235
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18423 Pieces
Ficha de datos:
BSH112,235.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-236AB (SOT23)
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):830mW (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:568-1768-2
934056035235
BSH112 /T3
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSH112,235
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 300mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

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