MMBF170Q-7-F
MMBF170Q-7-F
Número de pieza:
MMBF170Q-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16046 Pieces
Ficha de datos:
MMBF170Q-7-F.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 10V
La disipación de energía (máximo):300mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:MMBF170Q-7-FDI
MMBF170Q-7-FDI-ND
MMBF170Q-7-FDITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:MMBF170Q-7-F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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