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BSB104N08NP3GXUSA1
- Número de pieza:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14585 Pieces
- Ficha de datos:
- BSB104N08NP3GXUSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSB104N08NP3GXUSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSB104N08NP3GXUSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 40µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-WDSON |
| Otros nombres: | SP001164330 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSB104N08NP3GXUSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2100pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 13A (Ta), 50A (Tc) 2.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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