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CEDM8001VL TR
- Número de pieza:
- CEDM8001VL TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13823 Pieces
- Ficha de datos:
- CEDM8001VL TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CEDM8001VL TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CEDM8001VL TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-883VL |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 100mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-101, SOT-883 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CEDM8001VL TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.66nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SOT-883VL |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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