CSD16325Q5
Número de pieza:
CSD16325Q5
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18751 Pieces
Ficha de datos:
CSD16325Q5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 8V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-24964-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:25 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD16325Q5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 12.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:33A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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