Comprar AUIRF7675M2TR con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 100µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ M2 |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 56 mOhm @ 11A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.7W (Ta), 45W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric M2 |
Otros nombres: | SP001522164 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | AUIRF7675M2TR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1360pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 150V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M2 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
Descripción: | MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.4A (Ta), 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |