AUIRF7665S2TR
AUIRF7665S2TR
Número de pieza:
AUIRF7665S2TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14042 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF7665S2TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET SB
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:62 mOhm @ 8.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta), 30W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric SB
Otros nombres:SP001519440
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:AUIRF7665S2TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:515pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Email:[email protected]

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