APT11F80S
APT11F80S
Número de pieza:
APT11F80S
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15813 Pieces
Ficha de datos:
APT11F80S.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D3Pak
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):337W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT11F80S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2471pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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