SI1058X-T1-GE3
SI1058X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1058X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V SC89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15845 Pieces
Ficha de datos:
SI1058X-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.55V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):236mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI1058X-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V SC89
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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