IRF8113GPBF
IRF8113GPBF
Número de pieza:
IRF8113GPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18809 Pieces
Ficha de datos:
IRF8113GPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SP001560088
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF8113GPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2910pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17.2A (Ta)
Email:[email protected]

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