Comprar APT11F80B con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-247 [B] |
Serie: | POWER MOS 8™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 337W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | APT11F80B |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2471pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |