AOV15S60
AOV15S60
Número de pieza:
AOV15S60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16412 Pieces
Ficha de datos:
1.AOV15S60.pdf2.AOV15S60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.8V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DFN-EP (8x8)
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:360 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):8.3W (Ta), 208W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-VSFN Exposed Pad
Otros nombres:785-1684-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOV15S60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:717pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:520mA (Ta), 12A (Tc)
Email:[email protected]

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