Comprar IPB50R299CPATMA1 con BYCHPS
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		| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 440µA | 
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3-2 | 
| Serie: | CoolMOS™ | 
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V | 
| La disipación de energía (máximo): | 104W (Tc) | 
| embalaje: | Tape & Reel (TR) | 
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 
| Otros nombres: | IPB50R299CP IPB50R299CP-ND SP000236094 | 
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje: | Surface Mount | 
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks | 
| Número de pieza del fabricante: | IPB50R299CPATMA1 | 
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 100V | 
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 31nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Característica de FET: | - | 
| Descripción ampliada: | N-Channel 550V 12A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | 
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 550V | 
| Descripción: | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | 
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |