IRLR3717TRPBF
Número de pieza:
IRLR3717TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16541 Pieces
Ficha de datos:
IRLR3717TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.45V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001553200
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRLR3717TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 120A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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