AON6812
AON6812
Número de pieza:
AON6812
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16369 Pieces
Ficha de datos:
1.AON6812.pdf2.AON6812.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-DFN-EP (5.2x5.55)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:4.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Otros nombres:785-1630-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AON6812
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1720pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 27A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5.2x5.55)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A
Email:[email protected]

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