AO5803E
AO5803E
Número de pieza:
AO5803E
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12141 Pieces
Ficha de datos:
1.AO5803E.pdf2.AO5803E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-89-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:800 mOhm @ 600mA, 4.5V
Potencia - Max:400mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:AO5803E-ND
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AO5803E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 400mW Surface Mount SC-89-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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