FDD8426H
Número de pieza:
FDD8426H
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17360 Pieces
Ficha de datos:
FDD8426H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:TO-252-4L
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 12A, 10V
Potencia - Max:1.3W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD8426H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2735pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A, 10A
Email:sales@bychips.com

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