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2SK1119(F)
- Número de pieza:
- 2SK1119(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12200 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SK1119(F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SK1119(F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK1119(F) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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