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IRL80HS120
- Número de pieza:
- IRL80HS120
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19442 Pieces
- Ficha de datos:
- IRL80HS120.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRL80HS120, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRL80HS120 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-PQFN (2x2) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 32 mOhm @ 7.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 11.5W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | IRL80HS120TR SP001592838 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRL80HS120 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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