Comprar TPH12008NH,L1Q con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 300µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 12A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta), 48W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
Otros nombres: | TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NHL1Q TPH12008NHL1QTR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | TPH12008NH,L1Q |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 40V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
Descripción: | MOSFET N CH 80V 24A SOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
Email: | [email protected] |