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2N7635-GA
- Número de pieza:
- 2N7635-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- TRANS SJT 650V 4A TO-257
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17287 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N7635-GA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N7635-GA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N7635-GA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | TO-257 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 415 mOhm @ 4A |
| La disipación de energía (máximo): | 47W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-257-3 |
| Otros nombres: | 1242-1146 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 2N7635-GA |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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