BTS115ANKSA1
BTS115ANKSA1
Número de pieza:
BTS115ANKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13088 Pieces
Ficha de datos:
BTS115ANKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:P-TO220AB
Serie:TEMPFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 7.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BTS115ANKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:735pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 15.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15.5A (Tc)
Email:[email protected]

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