2N7637-GA
2N7637-GA
Número de pieza:
2N7637-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
TRANS SJT 650V 7A TO-257
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14017 Pieces
Ficha de datos:
2N7637-GA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo:TO-257
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:170 mOhm @ 7A
La disipación de energía (máximo):80W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-257-3
Otros nombres:1242-1148
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:2N7637-GA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 35V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Característica de FET:-
Descripción ampliada:650V 7A (Tc) (165°C) 80W (Tc) Through Hole TO-257
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:TRANS SJT 650V 7A TO-257
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc) (165°C)
Email:[email protected]

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