Comprar 2N6661JTXV02 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-39 |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | 2N6661JTXV02 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 90V |
Descripción: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Tc) |
Email: | [email protected] |