2N6660
2N6660
Número de pieza:
2N6660
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15372 Pieces
Ficha de datos:
2N6660.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-205AF (TO-39)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):725mW (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:2N6660
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:990mA (Tc)
Email:[email protected]

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